EV 인버터·온보드 충전기(OBC)·DC-DC 컨버터에 쓰이는
SiC(Silicon Carbide) MOSFET 원가를 빠르게 추정합니다.
SiC(Silicon Carbide, 탄화규소)는 실리콘(Si)보다 에너지 갭이 3배 넓어 고전압·고온·고주파에서 효율적으로 동작하는 차세대 전력반도체 소재입니다. 특히 EV(전기차) 인버터와 급속 충전기에 사용되면서 시장이 폭발적으로 성장하고 있습니다.
| 항목 | Silicon (Si) | Silicon Carbide (SiC) |
|---|---|---|
| Band Gap | 1.12 eV | 3.26 eV |
| 최대 동작 온도 | ~150°C | ~200°C+ |
| 스위칭 손실 | 기준 | -75% 감소 |
| EV 인버터 효율 | ~92% | ~97% |
| Die 원가 | 낮음 | 3~5배 비쌈 |
| 웨이퍼 사이즈 | 300mm 주류 | 150/200mm (300mm 전환 중) |
| 회사 | 본사 | 시장 점유율 (2024) | 주요 제품 |
|---|---|---|---|
| STMicroelectronics | 스위스·이탈리아 | ~35% | Tesla Model 3/Y SiC 공급 |
| Infineon | 독일 | ~20% | 현대 E-GMP SiC 인버터 |
| onsemi | 미국 | ~15% | BMW·VW SiC 공급 |
| Wolfspeed | 미국 | ~12% | 세계 최대 SiC 웨이퍼 제조 |
| ROHM | 일본 | ~10% | 도요타·혼다 SiC 공급 |
| 기타 | — | ~8% | Mitsubishi, Toshiba, Fuji, Renesas |
SiC 웨이퍼는 Si 대비 성장이 어렵고 결함 밀도가 높아 공급 부족이 지속되고 있습니다. Wolfspeed·Coherent·SK실트론CSS·STMicro가 200mm SiC 웨이퍼 양산을 확대 중이며, 2026년 이후 300mm SiC 전환이 본격화될 전망입니다.
SiC MOSFET 6개(EV 인버터 기본 구성) 가격은 $300~$600으로 Si IGBT 대비 $200 이상 비싸지만, 배터리 5~10% 절감(약 $500~$1,000 가치)과 주행거리 5~10% 향상 효과로 총 시스템 원가는 SiC가 유리합니다. 이것이 SiC 채택이 가속화되는 이유입니다.